 |
PAVEL METLINSCHILector universitar |
|---|---|
Contact |
Email | Pagina personală | Telefon:022 509 914, bir. 416 |
Cursuri predate |
- Materiale şi componente în electronică. - Măsurări electronice. - Tehnologia materialelor semiconductoare. - Electronica. - Circuite şi dispositive electronice. |
Domenii de interes |
- Materiale şi dispozitive semiconductoare. - Conversia energiei solare şi termică în energia electrică. - Electronica. Nanotehnologii şi nanoelectronica. |
Publicaţii selectate |
1. Deep levels in HgGa2Se4 single crystals. METLINSKII P., RADAUTAN S., TIGHINEANU I., TYRZIU V. and URSAKI V. Phys.Stat.Sol.(a) 96, 295 (1986). 2. New types of ultraviolet sensors. TODOS P., DOROGAN V.,TROFIM V., METLINSCHI P., MANOLE M., COSEAC V., VIERU T. Proceedings of the 7 ICOEEE. Edited by the Transilvania Universiti of Braşov, Mai 11-12, 2000. 3. Анизотропная фотопроводимость монокристаллов HgGa2Se4. Лебедев А.A., Метлинский П.H., Рудь Ю.В., Тырзиу В.Г. ФТП, 1977, т.11, №6, с. 1038 – 1042. 4. Фотоэлектрические свойства гетероструктур n - SnO2 - n - HgGa2Se4. Лунев А. В., Метлинский П. Н., Рудь Ю. В., Тырзиу В. Г., Ундалов Ю. К. ЖПС, 1985, т.XLIII, №2, c. 312 – 314. |
Brevete |
1. Способ получения p-n-переходов на полупроводниковых материалах. Дураджи В. Н., Метлинский П. Н., Тырзиу В. Г. Авторское свидетельство СССР № 1003689, 1982. 2. Полупроводниковый анализатор поляризованного излучения. Радауцан С. И., Тигиняну И. М., Метлинский П. Н., Дерид Ю. О. Авторское свидетельство СССР № 11457749, 1988. |
Alte activităţi |
- Сеrcetări ştiinţifice în cadrul contractelor pe buget de stat. |
